
PRODUCT CLASSIFICATION
產(chǎn)品分類TECHNICAL ARTICLES
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ZGF系列直流高壓發(fā)生器由中頻逆變倍壓整流電路,PWM脈寬調(diào)制芯片和高壓大功率MOSFET器件組成,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合我國(guó)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)DL/T 848.1-2004《高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件 第1部分:直流高壓發(fā)生器》的要求。
2024-09-03
生產(chǎn)廠家
672
ZGF系列直流高壓發(fā)生器由中頻逆變倍壓整流電路,PWM脈寬調(diào)制芯片和高壓大功率MOSFET器件組成,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合我國(guó)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)DL/T 848.1-2004《高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件 第1部分:直流高壓發(fā)生器》的要求。
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ZGF系列直流高壓發(fā)生器由中頻逆變倍壓整流電路,PWM脈寬調(diào)制芯片和高壓大功率MOSFET器件組成,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合我國(guó)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)DL/T 848.1-2004《高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件 第1部分:直流高壓發(fā)生器》的要求。
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ZGF系列直流高壓發(fā)生器由中頻逆變倍壓整流電路,PWM脈寬調(diào)制芯片和高壓大功率MOSFET器件組成,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合我國(guó)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)DL/T 848.1-2004《高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件 第1部分:直流高壓發(fā)生器》的要求。
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ZGF系列直流高壓發(fā)生器由中頻逆變倍壓整流電路,PWM脈寬調(diào)制芯片和高壓大功率MOSFET器件組成,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合我國(guó)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)DL/T 848.1-2004《高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件 第1部分:直流高壓發(fā)生器》的要求。
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ZGF系列直流高壓發(fā)生器由中頻逆變倍壓整流電路,PWM脈寬調(diào)制芯片和高壓大功率MOSFET器件組成,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合我國(guó)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)DL/T 848.1-2004《高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件 第1部分:直流高壓發(fā)生器》的要求。
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ZGF系列直流高壓發(fā)生器由中頻逆變倍壓整流電路,PWM脈寬調(diào)制芯片和高壓大功率MOSFET器件組成,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合我國(guó)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)DL/T 848.1-2004《高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件 第1部分:直流高壓發(fā)生器》的要求。
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ZGF系列直流高壓發(fā)生器由中頻逆變倍壓整流電路,PWM脈寬調(diào)制芯片和高壓大功率MOSFET器件組成,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)符合我國(guó)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)DL/T 848.1-2004《高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件 第1部分:直流高壓發(fā)生器》的要求。
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